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8月27日消息，國產中微公司近日宣布，半導備雄備出其先進薄膜設備累計出貨正式突破500個反應台。體設台刻開雲登入口

產品涵蓋低壓化學氣相沉積、起中金屬薄膜沉積、微薄介質薄膜沉積等多款核心機型，膜設膜成全麵覆蓋半導體製造主流薄膜沉積工藝需求，貨破後薄標誌著公司高端薄膜沉積設備完成規模化商用布局。第增

薄膜沉積是長極先進邏輯、存儲、國產特色器件與先進封裝不可或缺的半導備雄備出開雲登入口核心裝備。中微已構建覆蓋鎢薄膜、體設台刻金屬柵、起中金屬矽化物的微薄先進薄膜組合，適配先進製程嚴苛工藝。膜設膜成

在鎢金屬沉積領域，中微自研CVD-W、HAR-W與ALD-W支持存儲全流程金屬鎢沉積，已獲多家核心存儲客戶量產訂單；並適配先進邏輯多道鎢互連、特色器件，實現存儲、邏輯、特色三大領域全覆蓋。

麵向先進邏輯，中微Preforma Uniflash®金屬柵係列含ALD氮化鈦、鈦鋁、氮化鉭三款，完成頭部邏輯客戶驗證，多項指標達世界先進；ALD氮化鈦還可適配存儲、特色器件與先進封裝。

針對高選擇比、低電阻接觸層痛點，中微推出Preforma Uniflash®金屬矽化物集成係統，適配邏輯源漏、背部供電與三維存儲接觸層，實現高質量微結構填充，填補國內高端金屬矽化物設備空白。

截至2026年6月底，中微已開發54種高端設備，累計超8800個反應台在220餘條產線量產，刻蝕與薄膜精度達原子級；中微連續14年銷售年均增35%以上，人均年銷售額約450萬元，設備覆蓋超30%前道集成電路設備。

麵向未來，中微計劃通過自主開發與外延並購，五年內外延覆蓋60%以上集成電路高端設備與70%以上先進封裝市場，向全球領先平台型設備公司邁進。